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論文

Roles of strain and carrier in silicon oxidation

小川修一*; 吉越章隆; Tang, J.*; 堰端勇樹*; 高桑雄二*

Japanese Journal of Applied Physics, 59(SM), p.SM0801_1 - SM0801_42, 2020/07

https://doi.org/10.35848/1347-4065/ab82a9

被引用回数：5 パーセンタイル：32.24(Physics, Applied)

この論文では、SiO $_{2}$ /Si界面付近の点欠陥生成を介したSi酸化反応の統一モデルに関するレビューをする。この点欠陥は放出されたSi原子と空孔からなり、このダングリングボンドにおいてO $_{2}$ 分子の解離吸着が起きる。点欠陥の生成速度が、酸化にともない誘起される歪み、SiとSiO $_{2}$ 間の熱膨張係数の違いに起因する熱歪み、熱励起によるSi放出の速度および吸着熱の組み合わせによって与えられることを示す。